二、研究方向
1.緊跟行業(yè)技術(shù)發(fā)展，建立不同先進(jìn)封裝模型，開展集成電路封裝熱-電-磁多目標(biāo)優(yōu)化設(shè)計，揭示封裝結(jié)構(gòu)、材料及工藝參數(shù)與性能的量化規(guī)律，相關(guān)技術(shù)應(yīng)用于通富微電子股份有限公司產(chǎn)品中，顯著提升封裝系統(tǒng)的性能和可靠性，與其共同開發(fā)的“晶圓級封裝（WLP）技術(shù)產(chǎn)品”獲得江蘇省科技進(jìn)步三等獎；開展集成電路測試壓縮、高速集成電路測試以及系統(tǒng)芯片低成本測試等測試?yán)碚撆c測試方法研究，為用戶產(chǎn)品開展集成電路的晶圓測試和成品測試實(shí)驗(yàn)。
2.主要研究面向5G的新一代移動通信關(guān)鍵技術(shù)；研究復(fù)雜動態(tài)網(wǎng)絡(luò)、多智能體網(wǎng)絡(luò)、混沌數(shù)字保密通信等系統(tǒng)中的非線性信號處理和智能信息處理理論與技術(shù)；研究基于深度學(xué)習(xí)的計算機(jī)視覺、語音識別和自然語言處理；研究基于云技術(shù)和深度學(xué)習(xí)的智能交通信息處理；研究生物醫(yī)學(xué)信號獲取與處理、醫(yī)學(xué)影像處理與識別、醫(yī)療信息集成與分析等理論與技術(shù)。在此基礎(chǔ)上，面向交通通信行業(yè)需求，研究不同應(yīng)用背景下的通信系統(tǒng)專用集成電路設(shè)計。
3.研究內(nèi)容涉及集成電路的制備材料、工藝及器件，包括低維納米材料的制備工藝、生成機(jī)理、結(jié)構(gòu)特征以及物理性質(zhì)；高性能功率器件、GaN基和GaAs基太赫茲器件以及基于石墨烯等二維材料的新型器件工藝、器件結(jié)構(gòu)與器件物理機(jī)制研究，并在新結(jié)構(gòu)、新器件和新工藝的基礎(chǔ)研究上，進(jìn)一步研究新工藝對器件性能提升的內(nèi)在機(jī)制；面向地方產(chǎn)業(yè)需求，開展新型太陽能電池研究，為企業(yè)新工藝開發(fā)提供服務(wù)。
4.主要研究射頻系統(tǒng)的集成化、小型化及功能多樣化設(shè)計技術(shù)，包括：射頻無源電路、射頻有源電路和天線的集成化融合設(shè)計；低溫共燒陶瓷、多層電路板等可集成化載體上的射頻集成電路設(shè)計；射頻無源電路與集成芯片組成功能模塊中的封裝、互連等設(shè)計。
5.研究開發(fā)各類高性能模數(shù)轉(zhuǎn)換器/數(shù)模轉(zhuǎn)換器電路、微控制器電路；研究超高頻數(shù)字信號采樣、處理以及基于FPGA的應(yīng)用開發(fā)。
